RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
59
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3083
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link