RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
59
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
57
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2253
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link