RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2193
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link