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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2193
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
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