RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
59
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2936
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link