RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3317
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link