RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3317
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link