RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
59
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2902
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link