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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
59
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
41
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
12.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2902
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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