RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2124
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link