RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
63
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
63
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1932
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link