RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
59
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3126
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link