RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 91
    Около 74% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 4.3
    Среднее значение в тестах
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 91
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 6.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 4.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 1214

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
модули RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
модули RAM