RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
69
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
58
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2591
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link