RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
80
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
80
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1882
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link