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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
80
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
80
读取速度,GB/s
4,217.2
16.0
写入速度,GB/s
1,857.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1882
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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