RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2553
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link