Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 47
    Около -96% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 1,779.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 4200
    Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,448.1 left arrow 15.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,779.3 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    298 left arrow 2852
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения