RAM-Vergleich Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Gesamtnote

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 15.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 47

Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 1,779.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 4200

Rund um 4.57 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

298 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns