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Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,779.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,448.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,779.3
12.1
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
298
2852
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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