Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

总分
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Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 47
    左右 -96% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 1,779.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 4200
    左右 4.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    47 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    3,448.1 left arrow 15.6
  • 写入速度,GB/s
    1,779.3 left arrow 12.1
  • 内存带宽,mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    298 left arrow 2852
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RAM 1
RAM 2

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