Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18

Среднее значение в тестах

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 69

Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.0 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 29
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 18.0
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3686

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9965640-001.C00G 16GB

Kingston 9965640-001.C00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM