Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 22.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 69

Около -306% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.0 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 17
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 22.1
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3847

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

модули RAM