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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
69
左右 -306% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
17
读取速度,GB/s
4,217.2
22.1
写入速度,GB/s
1,857.7
18.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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