Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 22.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

16 69

Около -331% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.6 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 16
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 22.1
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3906

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM