RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
69
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3289
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.C8F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link