RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2731
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link