RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2201
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link