RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2679
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link