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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
4,217.2
14.1
写入速度,GB/s
1,857.7
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2679
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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