RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
69
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3168
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link