RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
69
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2621
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link