Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против UMAX Technology 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.5

Среднее значение в тестах

UMAX Technology 16GB

Причины выбрать
UMAX Technology 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.3 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

UMAX Technology 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 69
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 14.5
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 1926

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

UMAX Technology 16GB

UMAX Technology 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000

модули RAM

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB

модули RAM