RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3029
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link