RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
58
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3178
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link