RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
58
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3324
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link