RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.9
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3744
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link