RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
58
Около -205% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2991
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link