RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
58
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2533
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link