RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
58
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2534
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link