Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 58

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.0 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 17.7
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 3593

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

модули RAM