RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
58
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3017
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link