RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
58
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3195
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link