RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
58
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3083
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link