Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingston 9965662-002.A01G 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 58

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

8.6 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 8.6
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2079

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

модули RAM

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

модули RAM