Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

51 58

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.9 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 51
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 10.4
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2387

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM