RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
58
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
47
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2308
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link