RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
62
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
62
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
1808
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link