RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3082
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link