Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.6

Среднее значение в тестах

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Причины выбрать
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 58

Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.5 1,950.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 31
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 14.6
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 2199

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM