RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2828
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link