RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2647
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link